ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок
нитрида галлия, полученных методом радикало-лучевой
геттерирующей эпитаксии

И.В.Рогозин\kern1pt, М.Б.Котляревский\kern1pt*

Бердянский государственный педагогический университет,
71118 Бердянск, Украина
* Академия управления и информационных технологий,
71112 Бердянск, Украина

(Получена 20 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

Тонкие пленки GaN получены на подложках GaAs (111) методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Структурное качество пленок исследовано с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифракции. Химический состав поверхности GaAs и состав пленок GaN исследовались методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что при низких температурах на начальных стадиях роста на поверхности GaAs образуются связи Ga-N и As-N. Исследовано состояние границы раздела пленка-подложка. Установлено, что длительный отжиг пленок GaN в радикалах азота приводит к сдвигу состава в сторону избытка азота.

PACS: 61.10.Nz, 79.60.Jv

 PDF версия (240Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster