ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур ITO--GaSe

З.Д.Ковалюк\kern1pt, П.Г.Литовченко\kern1pt*, О.А.Политанская, О.Н.Сидор, В.Н.Катеринчук,
В.Ф.Ластовецкий\kern1pt*, О.П.Литовченко\kern1pt*, В.К.Дубовой\kern1pt*, Л.А.Поливцев\kern1pt*

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины,
Черновицкое отделение,
58001 Черновцы, Украина
* Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 12 апреля 2006 г. Принята к печати 21 августа 2006 г.)

Исследовано влияние быстрых нейтронов с энергией 1 МэВ на фотоэлектрические параметры гетероструктур ITO--GaSe. Показано, что наблюдаемые изменения вольт-амперных характеристик обусловлены действием проникающего излучения на обе компоненты структуры, с чем связан рост сопротивления гетероструктур. Наличие тонкой структуры экситона в спектрах фоточувствительности после облучения показывает, что, несмотря на внесенные радиационные дефекты, GaSe сохраняет структурное совершенство. Полученные результаты объясняются пространственным перераспределением легирующей примеси в GaSe и структурными изменениями в пленках ITO.

PACS: 61.80.Hg, 73.40.Cg, 73.40.Lq, 73.50.Pz

 PDF версия (235Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster