| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
О квазилокальных состояниях Sn в BiTe на основе исследования гальваномагнитных эффектов в классических и квантующих магнитных полях
Р.Лайхо, С.А.Немов, А.В.Лашкул, Э.Лахдеранта, Т.Е.Свечникова, Д.С.Дворник
Лаборатория Вихури, Университет Турку,
FIN-20014 Турку, Финляндия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
Лаппеенрантский технологический университет,
FIN-53851 Лаппеенранта, Финляндия
Институт металлургии им. А.А. Байкова Российской академии наук,
Москва, Россия
(Поступила 10 октября 2006 г. Принята к печати 24 октрября 2006 г.)
|
В монокристаллах -BiTe с высоким содержанием примеси Sn, выращенных методом Чохральского, исследованы гальваномагнитные свойства в классических и квантующих магнитных полях до 12 Тл при ориентации магнитного поля вдоль тригональной оси . Экспериментально и теоретически исследованы зависимости коэффициента Холла и поперечного магнитосопротивления от магнитного поля. Для шестиэллипсоидной модели энергетического спектра Дрэббла--Вольфа предложен и апробирован для кристаллов BiTe : Sn метод оценки холл-фактора и холловской подвижности носителей заряда на основе магнитополевой зависимости коэффициента Холла. Наблюдались осцилляции Шубникова--де-Гааза и холловской компоненты тензора сопротивления при температурах и 11 K. Получены новые свидетельства в пользу существования частично заполненной электронами узкой полосы примесных состояний Sn на фоне зонного спектра легких дырок. Сделаны оценки параметров примесных состояний: их энергия мэВ уширение , радиус локализации примесного состояния Angstrem. PACS: 72.20My, 72.60.+g, 72.80.Jc |
| PDF версия (206Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |