ФТП, 2007, том 41, выпуск 5: page 561...

ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Низкотемпературный (77 K) примесный пробой в $4H$ -SiC $p$ -типа

И.В.Грехов, П.А.Иванов^\kern1pt, А.С.Потапов, Т.П.Самсонова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

Исследована ударная ионизация акцепторов в эпитаксиальных пленках

4H

-SiC, легированных алюминием (концентрация

2

· 10¹⁵ см^-3), при температуре 77 K. Установлено, что коэффициент ионизации экспоненциально зависит от обратного поля:

alpha_p=alpha^*_pexp(-F^*/F). Максимальный коэффициент ионизации

alpha^*_p=7.1· 10⁶ см^-3 · с^-1, а пороговое поле

F

^*=2.9· 10⁴ В/см.

PACS: 72.20.-i, 78.45.+h