ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности электрофизических свойств твердых растворов InxGa1-xN

Т.А.Комиссарова\kern1pt, Н.Н.Матросов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов, В.Н.Жмерик\kern1pt+, С.В.Иванов\kern1pt+

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 26 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления твердых растворов InxGa1-xN при 0=< x=< 1. Установлено, что при x=< 0.4 температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления имеют активационный участок. Энергия активации линейно зависит от содержания индия в твердом растворе. При x~ 0.5 активационный участок исчезает. Основной механизм рассеяния зависит от температуры, от плотности дефектов в пленке, в существенной степени определяемой используемыми промежуточными слоями GaN, и от состава твердого раствора x.

PACS: 61.66.Fn, 61.82.Fk, 68.55.Ln, 68.60.-p

 PDF версия (138Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster