ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дислокационная люминесценция,
возникающая в монокристаллическом кремнии
после имплантации ионов кремния и последующего отжига

Н.А.Соболев\kern1pt, А.М.Емельянов, В.И.Сахаров, И.Т.Серенков, Е.И.Шек, Д.И.Тетельбаум\kern1pt+

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 11 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

Установлено, что имплантация ионов кремния с энергией 100 кэВ и дозой 1·1017 см-2 в выращенный методом бестигельной зонной плавки Si n-типа проводимости не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 1100oC сопровождается появлением дислокационной люминесценции. Интенсивность доминирующей линии D1 с максимумом на длине волны ~ 1.54 мкм возрастает с увеличением времени отжига от 15 до 60 мин.

PACS: 61.72.Tt, 78.55.Ap, 78.55.Qr

 PDF версия (181Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster