ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Бистабильные амфотерные центры с обратным порядком электронных уровней в полупроводнике

А.Г.Никитина, В.В.Зуев

Московский инженерно-физический институт (государственный университет),
115409 Москва, Россия

(Получена 3 июля 2006 г. Принята к печати 11 сентября 2006 г.)

Изучено влияние бистабильности амфотерных центров с отрицательной корреляционной энергией на концентрацию свободных носителей. Обнаружено, что в случае отсутствия компенсирующей примеси, в определенном интервале температур концентрация свободных носителей не зависит от концентрации бистабильных амфотерных U--центров. Энергия активации приводимости и положение уровня Ферми в запрещенной зоне полупроводника определяются не только такими электронными характеристиками центров, как энергия ионизации центра, но и параметрами перехода между двумя равновесными состояниями центра.

Приведены результаты численного расчета температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводнике с бистабильными амфотерными U--центрами для различных условий компенсации. Показано, что имеет место эффект зависимости наблюдаемой энергии активации темновой проводимости от степени компенсации.

PACS: 61.72.-y, 61.72.Bb, 61.80.Az, 61.72.Ji

 PDF версия (172Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster