ФТП, 2007, том 41, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Реконструкция поверхности InSb(111)A при адсорбции серы

М.В.Лебедев\kern1pt, M.Shimomura\kern1pt*, Y.Fukuda\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Nano-Device Process Lab, Research Institute of Electronics, Shizuoka University,
Hamamatsu, 432-8011, Japan

(Получена 27 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

Методами дифракции медленных электронов и оже-электронной спектроскопии исследовалось изменение реконструкции поверхности InSb(111)A при адсорбции серы и отжиге в сверхвысоком вакууме. Показано, что эволюция реконструкции поверхности InSb(111)A существенным образом зависит от исходной толщины адсорбированного слоя серы на поверхности. Если толщина слоя серы немногим больше монослоя, то на поверхности формируется реконструкция (1x 1), которая при последующем отжиге трансформируется в реконструкцию (2x 2). Если же толщина слоя серы составляет несколько монослоев, то этот слой серы будет изначально аморфным. Отжиг такой поверхности при температуре 315-325oC может привести к образованию реконструкции (sqrt(3)sqrt, которая при более высокой температуре трансформируется в реконструкцию (2x 2), сохраняющуюся при дальнейшем отжиге вплоть до полного исчезновения атомов серы с поверхности. Впервые показано, что при адсорбции атомов халькогенидов на поверхности AIIIBV(111)A может образовываться реконструкция (sqrt(3)sqrt.

PACS: 68.43.-h, 68.47.Fg

 PDF версия (224Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster