ФТП, 2007, том 41, выпуск 5ФТП, 2007, том 41, выпуск 5| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| The 8 th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors June 1114, 2006 (с. \pageref 5160\pageref 5210k) (продолжение) | |
| Sosnov E.A., Belova S.A., Malygin A.A. AFM application for in situ study of the adsorptions processes | 515 |
|---|---|
| Sosnov E.A., Dorofeev V.P., Malkov A.A., Malygin A.A., Kulikov N.A., Brusilovsky G.L. AFM examination of nanolayers synthesised by the molecular layering method on the surface of manufacturing glasses | 518 |
| Baryshev S.V., Bobyl A.V., Kostyleva O.P. Applying of EBIV technique for investigation of electrophysical parameters of devices based on HTSC | 522 |
| Trukhanov S.V., Lobanovski L.S., Bushinsky M.V., Khomchenko V.A., Fedotova V.V., Troyanchuk I.O., Szymczak H. Microstructure evolution and magnetoresistance of the -site ordered Ba-doped manganites | 526 |
| Trofimov A.N., Petrova M.A., Zamoryanskaya M.V. Cathodoluminescence properties of yttrium alluminium garnet doped with Eu and Eu ions | 530 |
| Borisov S.S., Zaitsev S.I. Simulation of -beam penetration through multilayer structures | 534 |
| \leaders \hrule \kern Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Лебедев М.В., Shimomura M., Fukuda Y. Реконструкция поверхности InSb(111) при адсорбции серы | 539 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Жуковски П., Партыка Я., Венгерэк П., Колтунович Т., Сидоренко Ю., Стельмах В., Лапчук Н. Проводимость на переменном токе и электронный парамагнитный резонанс соединений CdFeTe | 544 |
| Никитина А.Г., Зуев В.В. Бистабильные амфотерные центры с обратным порядком электронных уровней в полупроводнике | 549 |
| Соболев Н.А., Емельянов А.М., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Тетельбаум Д.И. Дислокационная люминесценция, возникающая в монокристаллическом кремнии после имплантации ионов кремния и последующего отжига | 555 |
| Комиссарова Т.А., Матросов Н.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р., Жмерик В.Н., Иванов С.В. Особенности электрофизических свойств твердых растворов InGaN | 558 |
| Грехов И.В., Иванов П.А., Потапов А.С., Самсонова Т.П. Низкотемпературный (77 K) примесный пробой в -SiC -типа | 561 |
| Лайхо Р., Немов С.А., Лашкул А.В., Лахдеранта Э., Свечникова Т.Е., Дворник Д.С. О квазилокальных состояниях Sn в BiTe на основе исследования гальваномагнитных эффектов в классических и квантующих магнитных полях | 565 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Ковалюк З.Д., Литовченко П.Г., Политанская О.А., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур ITO--GaSe | 570 |
| Рогозин И.В., Котляревский М.Б. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок нитрида галлия, полученных методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии | 575 |
| Жачук Р.А., Тийс С.А., Ольшанецкий Б.З. Исследование начальных стадий роста Pb на поверхности Si(7 7 10) методом сканирующей туннельной микроскопии | 580 |
| Титков И.Е., Зубрилов А.С., Делимова Л.А., Машовец Д.В., Линийчук И.А., Грехов И.В. Белая электролюминесценция структуры ZnO/GaN | 584 |
| Терентьев Я.В., Люблинская О.Г., Торопов А.А., Соловьев В.А., Сорокин С.В., Усикова А.А., Иванов С.В. Аномальное спиновое расщепление электронов в InAs в условиях инжекционной накачки | 590 |
| Низкоразмерные системы | |
| Сизов Д.С., Заварин Е.Е., Леденцов Н.Н., Лундин В.В., Мусихин Ю.Г., Сизов В.С., Сурис Р.А., Цацульников А.Ф. Неравновесная заселенность носителей в структурах с глубокими квантовыми точками InGaN | 595 |
| Супрун С.П., Федосенко Е.В. Низкотемпературная перекристаллизация нанометровых слоев Ge на ZnSe | 609 |
| Зерова В.Л., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Towe E. Модуляция межподзонного поглощения света в электрическом поле в туннельно-связанных квантовых ямах | 615 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Жуков А.Е., Ковш А.Р., Никитина Е.В., Устинов В.М., Алферов Ж.И. Инжекционные лазеры с широким спектром генерации на основе самоорганизующихся квантовых точек | 625 |
| Айзенштат Г.И., Лелеков М.А., Новиков В.А., Окаевич Л.С., Толбанов О.П. Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом | 631 |
| Соболев Н.А., Емельянов А.М., Забродский В.В., Забродская Н.В., Суханов В.Л., Шек Е.И. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, изготовленные имплантацией ионов эрбия и газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, сильно легированных бором и фосфором | 635 |