ФТП, 2007, том 41, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Mathematical simulation of distribution of minority charge carriers, generated in multy-layer semiconducting structure
by a wide electron beam\kern1pt1

I.V.Burylova, V.I.Petrov\kern1pt$, M.G.Snopova\kern1pt$$, M.A.Stepovich

Tsiolkovsky Kaluga State Pedagogical University,
248000 Kaluga, Russia
$ Lomonosov Moscow State University,
119992 Moscow, Russia
$$ The Kaluga Branch of Bauman Moscow State Technical University,
248000 Kaluga, Russia

(Получена 12 сентября 2006 г. Принята к печати 3 октября 2006 г.)

The method of calculation of distributions of minority charge carriers generated in the two-layer semiconductor by a wide electron beam with energies 5-30 keV based on use of model of independent sources is described.

PACS: 73.40.-c, 68.37.Hk

 PDF версия (106Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster