ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Воздействие облучения протонами больших энергий
на 4H-SiC-детекторы

В.Кажукаускас\kern1pt, Р.Ясюленис\kern1pt*, В.Календра, Ю.Вайткус

Кафедра физики полупроводников и Институт материаловедения и прикладных наук, Вильнюсский университет,
LT-10222 Вильнюс, Литва
* Институт физики,
LT-02300 Вильнюс, Литва

(Получена 21 июня 2006 г. Принята к печати 18 июля 2006 г.)

Исследовалось воздействие облучения детекторов ионизирующего излучения из 4H-SiC различными дозами (до 1016 см-2) протонов с энергией 24 ГэВ. В ядерных реакциях скалывания протонов с углеродом образовались изотопы B, Be, Li, He и H. Изотопы Al, Mg, Na, Ne, F, O и N были образованы в реакциях протонов с кремнием. Полное количество образовавшихся стабильных изотопов изменялось пропорционально дозе облучения от 1.2·1011 до 5.9·1013 см-2. Показано, что при больших дозах облучения значительно изменяются контактные характеристики детекторов. Высота потенциального барьера от изначального значения 0.7-0.75 эВ увеличилась до 0.85 эВ, значительно ухудшились выпрямляющие характеристики контактов Шоттки. Данные эффекты объясняются образованием разупорядоченной структуры материала под облучением.

PACS: 61.80.Jh, 72.80.Jc, 85.30.De

 PDF версия (297Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster