ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе

И.Е.Тысченко, М.Фельсков\kern1pt*, А.Г.Черков, В.П.Попов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф,
Д-01314 Дрезден, Германия

(Получена 3 августа 2006 г. Принята к печати 28 августа 2006 г.)

Исследованы свойства германия, имплантированного в слои SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе. Показано, что в условиях высокотемпературного отжига (1100oC) не происходит формирования нанокристаллов германия, а имплантированные атомы Ge сегрегируют к границе сращивания Si/SiO2. Установлено, что атомы Ge при этом размещаются в позициях, когерентных с решеткой отсеченного слоя кремния. Основным типом ловушек в этом случае являются ловушки положительного заряда, их действие объясняется в рамках увеличения плотности поверхностных состояний за счет формирования более слабых связей Ge-O. Обнаружено увеличение наклона сток-затворных характеристик тыловых МДП транзисторов, которое объясняется возрастающей подвижностью дырок за счет вклада промежуточного слоя германия, формирующегося на границе Si/SiO2.

PACS: 61.72.Ww, 73.40.Qv, 81.20.-n, 85.30.Tv

 PDF версия (233Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster