ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дислокационная люминесценция в кремнии, обусловленная имплантацией ионов кислорода и последующим отжигом

Н.А.Соболев, Б.Я.Бер, А.М.Емельянов, А.П.Коварский, Е.И.Шек

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Рoссийской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 августа 2006 г. Принята к печати 8 сентября 2006 г.)

Обнаружено, что множественная имплантация ионов кислорода с энергиями 0.1-1.5 МэВ и дозами 7·1013-2·1014 см-2 и последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 900oC в течение 4 ч приводят к появлению дислокационной люминесценции в Si p-типа проводимости. При этом в приповерхностном слое Si также наблюдается p- -> n-конверсия типа проводимости, свидетельствующая об образовании электрически активных донорных центров. Предварительная термообработка покрытых легированной эрбием пленкой тетраэтоксисилана пластин при температуре 1250oC в течение 1 ч в аргоне не предотвращает появление дислокационной люминесценции, но влияет на параметры дислокационных линий (положение их максимумов и интенсивность).

PACS: 78.60.Fi, 61.72.Hh, 61.72.Tt

 PDF версия (151Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster