ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC

А.А.Лебедев , В.В.Зеленин, П.Л.Абрамов, Е.В.Богданова, С.П.Лебедев, Д.К.Нельсон,
Б.С.Разбирин, М.П.Щеглов, А.С.Трегубова, M.Suvajarvi\kern1pt*, R.Yakimova\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University,
SE-58183 Linkoping, Sweeden

(Получена 15 августа 2006 г. Принята к печати 22 августа 2006 г.)

Эпитаксиальные слои 3C-SiC толщиной до 100 мкм были получены методом сублимационной эпитаксии на гексагональных подложках 6H-SiC. Площадь выращенных слоев составляла 0.3-0.5 см2. Максимальные скорости роста достигали 200 мкм/ч. Были получены эпитаксиальные слои n-типа проводимости с концентрацией нескомпенсинованных доноров Nd-Na~(1017-1018) см-3. Рентгеновские исследования показали, что эпитаксиальный слой состоит из политипа 3C-SiC, без включений других политипов. В спектре фотолюминесценции преобладала донорно-акцепторая рекомбинация (Al--N) с энергией максимума полосы hnu~2.12 эВ. Представлен подробный анализ спектра фотолюминесценции, полученного при 6 K. Сделан вывод, что данные эпитаксиальные слои могут быть использованы как подложки для создания приборов на основе 3C-SiC.

PACS: 61.50.Nw, 73.61.Le, 78.55.Hx, 81.05.Hd, 81.15.Ef

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster