ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)

М.П.Михайлова, К.Д.Моисеев, Т.И.Воронина, Т.С.Лагунова, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 20 июля 2006 г. Принята к печати 28 июля 2006 г.)

Рассмотрены условия перехода от ступенчатого к разъединенному гетеропереходу II типа для одиночных гетероструктур Ga1-xInxAsySb1-y/InAs(GaSb) в зависимости от состава четверного твердого раствора. Оценены зонные диаграммы таких гетеропереходов и определены величины энергетического разрыва зон Delta на гетерогранице. Экспериментально установлено, что для структуры Ga1-xInxAsySb1-y/p-InAs разъединенный тип гетероперехода II типа наблюдается во всем интервале исследуемых составов, 0.03, и становится ступенчатым в интервале составов с 0.3. В гетероструктурах p-Ga1-xInxAsySb1-y/p-GaSb при содержании индия в твердой фазе 0.85 наблюдается дырочный тип проводимости, что свидетельствует о ступенчатом характере гетероперехода. При значении x>0.92 наблюдался вклад в проводимость электронов из полуметаллического канала на гетерогранице и переход от ступенчатого к разъединенному типу гетероперехода.

PACS: 73.40.-c, 73.40.Kp, 73.50.Dn

 PDF версия (230Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster