ФТП, 2007, том 41, выпуск 2

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Елюхина О.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И. Самоорганизация изоэлектронных примесей Mg и O в ZnSe	129

Электронные и оптические свойства полупроводников
Икусов Д.Г., Сизов Ф.Ф., Старый С.В., Тетеркин В.В. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe ( $x=0.20-0.23$ )	134
Ушаков В.В., Клевков Ю.В. Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов	140
Дарчук Л.А., Дарчук С.Д., Сизов Ф.Ф., Голенков А.Г. Сверхпроводящие состояния нановключений свинца в полупроводниковой матрице PbTe	144
Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb_1-xSn_xTe под давлением	149

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Ахметоглы (Афраилов) М.А., Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Электрические свойства изотипных гетеропереходов $N$ ⁺- $GaSb/n$ ⁰- $GaInAsSb/N$ ⁺- $GaAlAsSb$ II типа	154
Боднарь И.В., Вайполин А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn₅Se₈	160
Кожевников А.А., Прибылов Н.Н. Влияние пассивации поверхности на собственную фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью	164
Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)	166

Низкоразмерные системы
Шалеев М.В., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Влияние напряженного Si-слоя на фотолюминесценцию Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных SiGe/Si(001)-буферных слоях	172
Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Бегун Е.В. Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением	177
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Кулаков А.Б., Самаров Э.Н., Карпов И.А., Редькин А.Н., Якимов Е.Е., Barthou C. Люминесценция наностержней оксида цинка	182
Козлов Д.А., Квон З.Д., Калагин А.К., Торопов А.И. Свойства двумерного электронного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs	186
Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур	190
Галашев А.Е., Измоденов И.А., Новрузов А.Н., Новрузова О.А. Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур	196
Талалаев В.Г., Новиков Б.В., Соколов А.С., Штром И.В., Tomm J.W., Захаров Н.Д., Werner P., Цырлин Г.Э., Тонких А.А. Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем	203
Гуляев Д.В., Журавлев К.С. Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны на кинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs	211

Физика полупроводниковых приборов
Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И. Управление временем жизни носителей заряда в высоковольтных $p-i-n$ -диодах на основе гетероструктур In_xGa_1-xAs/GaAs	217
Андрианов В.А., Горьков В.П., Кошелец В.П., Филиппенко Л.В. Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения. Вопросы энергетического разрешения	221
Блынский В.И., Василевский Ю.Г., Малышев С.А., Чиж А.Л. Кремниевый фотодиод с сетчатым $p-n$ -переходом	229
Алкеев Н.В., Аверин С.В., Дорофеев А.А., Velling P., Khorenko E., Prost W., Tegude F.J. Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами	233
Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN	238
Вергелес П.С., Крапухин В.В., Якимов Е.Б. Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока	242

Персоналии
*Анатолий Григорьевич Самойлович ( к 100-летию со дня рождения* )**	247