ФТП, 2007, том 41, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Накопление структурных нарушений в кремнии
при облучении кластерными ионами PF+n средних энергий

А.Ю.Азаров\kern1pt, А.И.Титов\kern1pt*

Государственное унитарное научно-производственное предприятие \glqq Электрон-Оптроник\grqq,
194223 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 апреля 2006 г. Принята к печати 10 мая 2006 г.)

С помощью метода спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследовано накопление структурных нарушений в кремнии при комнатной температуре под воздействием облучения атомарными ионами P+, F+, а также кластерными ионами PF+n (n=1... 4) с энергией 2.1 кэВ/а.е.м. и одинаковой скоростью генерации первичных дефектов. Предложены условия для корректного сравнения результатов бомбардировки атомарными и кластерными ионами, состоящими из атомов разного типа. Обнаружено, что характер накопления структурных нарушений в кремнии в случае бомбардировки ионами PF+n существенно отличается от наблюдаемого как при облучении атомарными ионами, составляющими кластерный ион (P+ и F+), так и при бомбардировке атомарными тяжелыми ионами, имеющих атомную массу, близкую к массе кластеров PF+n. Показано, что в эквивалентных условиях облучения кластерные ионы в приповерхностной области производят значительно большее количество нарушений, чем атомарные, т. е. наблюдается молекулярный эффект. Рассмотрены возможные механизмы данного явления.

PACS: 61.72.Tt, 61.80.Lj, 61.80.-x, 68.55.Ln

 PDF версия (234Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster