ФТП, 2007, том 41, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово

Г.А.Бордовский, Р.А.Кастро, П.П.Серегин\kern1pt, Е.И.Теруков\kern1pt*

Российский государственный педагогический университет,
191186 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 18 апреля 2006 г. Принята к печати 28 апреля 2006 г.)

Методом мессбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии в стеклах (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x идентифицированы два валентных состояния атомов олова и показано, что присутствие двухвалентного олова в структурной сетке стекла не приводит к появлению примесной проводимости и примесного оптического поглощения. Предлагается рассматривать стекла (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x и (As2Se3)1-z(GeSe2)z-x(SnSe2)x как полупроводниковые твердые растворы, электрофизические свойства которых зависят как от электрофизических свойств исходных компонентов, так и от состава твердых растворов.

PACS: 76.80.+y, 78.20.Ci, 78.66.Jg, 61.43.Fs

 PDF версия (203Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster