ФТП, 2006, том 40, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах

Г.Б.Галиев\kern1pt*, И.С.Васильевский\kern1pt*,+, Е.А.Климов\kern1pt*, В.Г.Мокеров\kern1pt*, А.А.Черечукин\kern1pt*

* Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук,
117105 Москва Россия
+ Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992, ГСП-2 Москва, Россия

(Получена 14 марта 2006 г. Принята к печати 21 марта 2006 г.)

Экспериментально исследовано влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газа mue в односторонне delta-легированных псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторных структурах с высокой подвижностью электронов. С помощью самосогласованного расчета проанализирована зонная диаграмма. Для исследования электронных транспортных свойств выбрана оптимальная структура, в которой отсутствует параллельная проводимость по легированному слою. Показано, что в оптимизированных структурах с увеличением температуры роста от 590 до 610oC при неизменности остальных параметров и условий роста подвижность mue увеличивается на 53% при T=300 K и на 69% при T=77 K. Предполагается, что это связано с улучшением структурного совершенства спейсерного слоя AlGaAs и гетерограницы AlGaAs/InGaAs/GaAs.

PACS: 81.15.Hi, 72.80.Ey, 73.61. Ey

 PDF версия (254Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster