ФТП, 2006, том 40, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe, изготовленных электрохимическим методом

А.Ш.Абдинов\kern1pt, Н.М.Мехтиев, Г.М.Мамедов, С.И.Амирова

Бакинский государственный университет,
370148 Баку, Азербайджан

(Получена 30 января 2006 г. Принята к печати 28 февраля 2006 г.)

Методом электрохимического осаждения изготовлены солнечные элементы на основе гетеропереходов SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe. Изучены зависимости их электрических и фотоэлектрических свойств от режима термической обработки. Показано, что термическая обработка снижает туннельные токи почти на 2 порядка величины. Определен оптимальный режим термической обработки (t=300oC и tau=9 мин), при котором обеспечивается максимальная фоточувствительность исследуемых гетеропереходов (Isc~ 21.2 мА/см2, Uoc~813 мВ, eta=14.7%).

PACS: 84.60.Jt; 82.45.Qr

 PDF версия (134Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster