ФТП, 2006, том 40, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние термического отжига на чувствительность кремниевых МОП диодов к восстановительным газам

В.И.Балюба, В.Ю.Грицык, Т.А.Давыдова, В.М.Калыгина, С.С.Назаров, А.В.Панин *, Л.С.Хлудкова

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
634050 Томск, Россия
* Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук,
634021 Томск, Россия

(Получена 14 марта 2006 г. Принята к печати 6 апреля 2006 г.)

Исследовано влияние термического отжига в интервале 200-610oC на чувствительность и временные зависимости отклика диодов Pd--SiO2--n-Si к водороду и аммиаку. Поверхность Pd-электрода после отжига исследовалась с помощью атомно-силовой микроскопии. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики на воздухе и в газовых смесях H2/воздух и NH3/воздух. Показано, что после отжига при 200oC в течение 10 мин отклик емкости диодов на водород выше отклика на аммиак. После отжига при 300oC и более высоких температурах чувствительность МОП диодов к водороду практически исчезает, в то время как отклик на аммиак все еще остается высоким, хотя постепенно уменьшается с повышением температуры отжига. Снижение чувствительности диодов Pd--SiO2--n-Si к аммиаку с повышением температуры отжига объясняется ухудшением электрических характеристик Pd-электрода.

PACS: 73.40.Qv, 81.40.Ef, 85.30.Kk

 PDF версия (490Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster