ФТП, 2006, том 40, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптическое отражение и бесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs

В.В.Чалдышев\kern1pt, А.С.Школьник, В.П.Евтихиев, T.Holden\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Brooklyn College of the City University of New York, USA

(Получена 25 декабря 2005 г. Принята к печати 28 апреля 2006 г.)

В диапазоне энергий фотонов от 1 до 2 эВ проведены исследования оптического отражения и электроотражения от слоев AlGaAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs различной толщины. Установлено, что спектральная зависимость коэффициента отражения содержит три основных вклада: отражение от границы воздух-среда; интерференционное отражение, обусловленное периодической модуляцией коэффициента преломления из-за различий его значений для материалов ям и барьеров; отражение, связанное с взаимодействием электромагнитных волн с экситонными состояниями в квантовых ямах. Исследование спектров отражения показало, что эти вклады имеют различные зависимости от температуры, угла падения и поляризации, однако количественное разделение различных вкладов весьма затруднительно. Для выделения в оптических спектрах вклада, обусловленного взаимодействием света с экситонными состояниями, разработан подход на основе бесконтактного измерения спектров оптического электроотражения. Показано, что применение такой методики позволяет определить параметры экситонных состояний в квантовых ямах.

PACS: 78.67.De, 73.21.Fg, 78.40.Fy

 PDF версия (202Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster