ФТП, 2006, том 40, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование

П.С.Алексеев\kern1pt*+, В.М.Чистяков\kern1pt+, И.Н.Яссиевич\kern1pt*

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 15 мая 2006 г. Принята к печати 19 мая 2006 г.)

Построена теория спин-зависимого резонансного туннелирования электронов через двухбарьерную гетероструктуру в присутствии электрического поля. Спин-орбитальное расщепление учитывается введением в эффективный гамильтониан слагаемого Дрессельхауза. Проанализирована возможность создания спинового детектора и инжектора на основе немагнитной полупроводниковой GaAlSb-гетероструктуры, управляемой электрическим полем.

PACS: 73.40.Gk, 73.43.Jn, 85.30.Mn, 85.75.Mm

 PDF версия (271Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster