ФТП, 2006, том 40, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии

А.А.Лебедев, А.М.Стрельчук, С.Ю.Давыдов, А.Е.Черенков, А.Н.Кузнецов, А.С.Трегубова,
Л.М.Сорокин, М.П.Щеглов, А.В.Садохин, С.Йонеда*, Ш.Нишино*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Технологический институт Киото, Мацугасаки,
606-8585 Киото, Япония

(Получена 18 апреля 2006 г. Принята к печати 28 апреля 2006 г.)

Впервые методом сублимационной эпитаксии получена структура 6H(n+)/3C(n)/6H(p+)-SiC, на основе которой изготовлены меза-диоды и проведено исследование их электрических характеристик. Обнаружено, что в спектре инжекционной электролюминесценции данных диодов доминирует полоса в зеленой области спектра, которая близка по характеристикам к полосе, связанной с рекомбинацией свободного экситона в объемном образце 3C-SiC, но сдвинута в коротковолновую область на ~ 0.06 эВ. Подобный эффект наблюдался ранее для треугольных квантовых ям в гетеропереходе n+-6H-SiC/p-3C-SiC. Проведенный анализ экспериментальных результатов показал, что данную структуру можно рассматривать как два независимых гетероперехода. Наблюдавшийся спектр электролюминесценции может быть обусловлен излучательной рекомбинацией у гетерограницы n+-6H-SiC/n-3C-SiC.

PACS: 81.15.Hi, 85.30.Kk, 78.60.Fi, 73.40.Lq

 PDF версия (298Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster