ФТП, 2006, том 40, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия,
полученных методом газофазной эпитаксии
из металлорганических соединений

Р.В.Левин\kern1pt*, А.С.Власов, Н.В.Зотова, Б.А.Матвеев, Б.В.Пушный\kern1pt, В.М.Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета,
347340 Волгодонск, Россия

(Получена 10 апреля 2006 г. Принята к печати 24 апреля 2006 г.)

Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализированы структурные и люминесцентные свойства слоев при 300 K и 77 K. Получены зависимости скорости роста, концентрации носителей и их подвижности от соотношения компонентов пятой и третьей групп в газовой фазе. Обнаружен провал по подвижности при соотношении TMSb/TEGa~3.

PACS: 68.55.Jk. 72.20.Fr, 78.55.Cr

 PDF версия (298Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster