ФТП, 2006, том 40, выпуск 12

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Электронные и оптические свойства полупроводников
Бадылевич М.В., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Немонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов в кремнии, индуцируемые потоками *beta* -частиц малой интенсивности	1409
Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Петров В.Н., Родин С.Н., Черенков А.В. Влияние дополнительно введенных примесей Zn и Eu на вид спектров фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Er	1412

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Булгаков А.А., Шрамкова О.В. Дисперсия и неустойчивость дрейфовых волн в мелкослоистой полупроводниковой структуре	1420
Левин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.В., Андреев В.М. Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений	1427
Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов С.Ю., Черенков А.Е., Кузнецов А.Н., Трегубова А.С., Сорокин Л.М., Щеглов М.П., Садохин А.В., Йонеда С., Нишино Ш. Исследование структур $n$ ⁺- $6H/n$ - $3C/p$ ⁺- $6H$ -SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии	1432

Низкоразмерные системы
Алексеев П.С., Чистяков В.М., Яссиевич И.Н. Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование	1436
Кадушкин В.И. Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно легированного гетероперехода	1443
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Смирнов И.Ю., Торопов А.И. Индуцированный светом переход металл--диэлектрик в гетероструктуре $n$ -GaAs/AlGaAs. Акустические методы исследования	1449
Борщ Н.А., Переславцева Н.С., Курганский С.И. Атомная и электронная структура кремниевых и кремний-металлических наночастиц Si₂₀, Si^-₂₀, NaSi₂₀ и KSi₂₀	1457
Завьялов Д.В., Крючков С.В., Мещерякова Н.Е. Влияние квантующего электрического поля на поперечную подвижность электронов в сверхрешетке	1463
Чалдышев В.В., Школьник А.С., Евтихиев В.П., Holden T. Оптическое отражение и бесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs	1466

Физика полупроводниковых приборов
Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Панин А.В., Хлудкова Л.С. Влияние термического отжига на чувствительность кремниевых МОП диодов к восстановительным газам	1470
Абдинов А.Ш., Мехтиев Н.М., Мамедов Г.М., Амирова С.И. Электрические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов SnO₂/Cd_0.4Zn_0.6S/CdTe, изготовленных электрохимическим методом	1476
Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А. Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах	1479
Именной указатель	1484
Предметный указатель	1514