ФТП, 2006, том 40, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Прыжковая проводимость в мезопористом кремнии с малой пористостью, сформированном на p+-Si<B>

С.П.Зимин\kern1pt

Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова,
150000 Ярославль, Россия

(Получена 3 февраля 2006 г. Принята к печати 13 апреля 2006 г.)

Исследована температурная зависимость электропроводности на постоянном токе в интервале 110-400 K слоев мезопористого кремния, сформированных на (111)-ориентированных пластинах p+-Si<B> с удельным сопротивлением 0.03 Ом·см. Величина весовой пористости находилась в интервале 18-30%. Показано, что в области температур ниже 200 K выполняется классический закон прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка вблизи уровня Ферми. Анализ температурной зависимости удельного сопротивления в области более высоких температур (200-400 K) свидетельствует о наличии двух активационных участков с энергиями активации 200-800 и 600-1200 мэВ. Описанная температурная зависимость проводимости исследуемых образцов в широком интервале температур соответствует модели разупорядоченных полупроводников с мелкомасшабными флуктуациями.

PACS: 72.20.Ee, 72.80.Ng

 PDF версия (116Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster