ФТП, 2006, том 40, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs

В.А.Ромака\kern1pt*,+,, Д.Фрушарт\kern1pt\wedge, Ю.В.Стаднык\kern1pt=/=, Я.Тобола\kern1pt, Ю.К.Гореленко\kern1pt=/=,
М.Г.Шеляпина\kern1pt\vee, Л.П.Ромака\kern1pt=/=, В.Ф.Чекурин\kern1pt*

* Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины,
79060 Львов, Украина
+ Национальный университет \glqq Львовская политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
\wedge Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, BP 166,
38042 Гренобль, Франция
=/= Львовский национальный университет им. И. Франко,
79005 Львов, Украина
Научно-технологический университет Горно-металлургической академии,
30-059 Краков, Польша
\vee Институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 февраля 2006 г. Принята к печати 17 марта 2006 г.)

Условием достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности Z* в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs является их сильное легирование акцепторными и (или) донорными примесями до концентраций, при которых уровень Ферми фиксируется порогом подвижности соответствующей зоны непрерывных энергий. Максимум коэффициента термоэлектрической мощности является термически стабильным при условии одинаковой природы типа примесей, вводимых в полупроводник, и типа примесной зоны, вызывающей появление максимума Z*.

PACS: 71.20.Nr; 72.20.Pa, 71.55.Ht, 75.20.Ck

 PDF версия (273Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster