ФТП, 2006, том 40, выпуск 10: page 1270...

ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Эффекты ванье-штарковской локализации в $6H$ -SiC планарном полевом транзисторе с $p-n$ -переходом в качестве затвора

В.И.Санкин, П.П.Шкребий, А.А.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 13 февраля 2006 г. Принята к печати 27 февраля 2006 г.)

Исследовалась зависимость фототока короткого замыкания от напряжения

V

_g на затворе

6H

-SiC полевого планарного транзистора. При определенном значении

V

_g возникала отрицательная дифференциальная фотопроводимость, которая по своим параметрам соответствовала режиму ванье-штарковских лестниц в естественной сверхрешетке

6H

-SiC. При этом же значении

V

_g происходило достаточно резкое падение к нулю тока сток--исток

I

_sd, что означало отсечку при напряжении, существенно меньшем ожидаемого напряжения отсечки для этой структуры. Эффект объясняется падением подвижности в режиме ванье-штарковских лестниц, уменьшением скорости ионизации донорных атомов и ослаблением экранирования поля.

PACS: 85.30.Tv, 71.70.Ej, 73.40.Lq

PDF версия (270Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster