ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц

А.М.Иванов\kern1pt, А.А.Лебедев, Н.Б.Строкан

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 24 января 2006 г. Принята к печати 31 января 2006 г.)

Выполненные на основе современных CVD-пленок SiC детекторы облучались протонами с энергией 8 МэВ при дозе 3· 1014 см-2. Концентрация первично введенных дефектов составила ~ 1017 см-3, что на 3 порядка величины превысило содержание исходных нескомпенсированных доноров. Наступившая глубокая компенсация проводимости позволила проводить измерения характеристик детекторов в двух режимах включения --- обратном и прямом направлении.

Основные характеристики сравнительно с дозой 1· 1014 см-2 ухудшались не более чем в 1.7 раза. Однако наблюдалось возникновение эдс поляризации, что указывает на накопление радиационными дефектами объемного заряда.

PACS: 85.60.Gz

 PDF версия (205Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster