ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние уровней собственных дефектов в запрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур с барьером Шоттки
на его основе

И.Г.Стамов\kern1pt, Д.В.Ткаченко

Приднестровский государственный университет,
3300 Тирасполь, Молдавия

(Получена 18 января 2006 г. Принята к печати 16 февраля 2006 г.)

Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией электронов и описывается диффузионной теорией для одного или двух типов носителей заряда. Большая концентрация ионизованных центров в области объемного заряда приводит к туннельному механизму пробоя в обратном направлении. Частотные зависимости комплексной проводимости определяются обменом носителями заряда между зоной проводимости и донором, определяющим тип проводимости материала, а также перезарядкой центров с большей энергией залегания. Получено хорошее согласие рассматриваемых явлений с теорией.

PACS: 71.55.Gs, 72.30.+q, 72.80.Ey, 73.20.At, 72.30.+q, 73.30.+y

 PDF версия (277Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster