ФТП, 2006, том 40, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пленок CdSe

Ю.В.Метелева, Г.Ф.Новиков\kern1pt

Институт проблем химической физики Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 30 января 2006 г. Принята к печати 9 февраля 2006 г.)

Исследована кинетика СВЧ фотопроводимости пленок CdSe, полученных методом пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных координационных соединений на кварцевых и ситалловых подложках в диапазоне температур Ts=300-600oC. Для характеризации пленок использован анализ рентгеновских дифрактограмм, спектров оптического поглощения и отражения. СВЧ фотопроводимость (возбуждение лазерными импульсами 10 нс, 337 нм) исследовалась при 295 K резонаторным методом и диапазонах 9 и 36 ГГц. Кинетика процессов гибели фотоэлектронов, определяющих временные характеристики фотоотклика, зависела от температуры опыта T и интенсивности падающего освета I. На пленках, полученных при Ts<400oC, наблюдалась кинетика гибели 1-го порядка. При T>450oC кинетика гибели не соответствовала ни 1-му, ни 2-му порядку при низких величинах I, но приближалась к кинетике 2-го порядка при высоких значениях I>1014 фотон/см2 на один импульс.

PACS: 73.50.Mx, 73.50.Pz, 78.30.Fs, 78.47+p

 PDF версия (336Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster