ФТП, 2006, том 40, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Cтруктурные дефекты на гетерограницах и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN,
выращенных на сапфире

В.П.Кладько, С.В.Чорненький, А.В.Наумов\kern1pt, А.В.Комаров\kern1pt*,
M.Tacano\kern1pt$, Ю.Н.Свешников\kern1pt#, С.А.Витусевич, А.Е.Беляев

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Институт физики Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
$ AMRC, Meisei University, Hino,
Tokyo 191-8506, Japan
# ЗАО \glqq Элма-Малахит\grqq,
124460 Зеленоград, Россия

(Получена 11 января 2006 г. Принята к печати 25 января 2006 г.)

Проведена комплексная рентгенодифрактометрическая и спектрально-оптическая характеризация эпитаксиальных слоев GaN и AlxGa1-xN (x=0.25), выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии на подложках монокристаллического сапфира (0001). Определены значения компонентов деформаций и плотности дислокаций, изучено их влияние на интенсивность и спектры фотолюминесценции. Результаты исследования позволили лучше понять природу и объяснить механизмы дефектообразования в эпитаксиальных гетероструктурах AlGaN/GaN.

PACS: 61.10.Nz, 68.35.Ct, 68.55.Jk, 78.55.Cr

 PDF версия (222Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster