ФТП, 2006, том 40, выпуск 8: page 986...

ФТП, 2006, том 40, выпуск 8

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Низкотемпературные материалы и тонкопленочные транзисторы для электроники на гибких подложках

А.Сазонов^\kern1pt*,, М.Мейтин^\kern1pt*,+, Д.Стряхилев^\kern1pt*, A.Nathan^\kern1pt*

^* Electrical and Computer Engineering Department, University of Waterloo,
ON N2L 3G1 Waterloo, Canada
⁺ ATI Technologies Inc.,
L3T 7XG Ontario, Canada

(Получена 24 ноября 2005 г. Принята к печати 21 декабря 2005 г.)

Рассмотрены процессы осаждения и электронные свойства тонкопленочных полупроводников и диэлектриков на основе кремния для производства электронных приборов на гибких пластиковых пленках. Пленки аморфного гидрогенизированного кремния (

a

-Si : H), нанокристаллического кремния (

nc

-Si) и аморфного нитрида кремния (

a

-SiN

_x), а также тонкопленочные транзисторы (ТПТ) были изготовлены при низких температурах процессов (

120

^oC,

75

^oC) с использованием существующего промышленного плазмохимического оборудования. Параметры тонкопленочных транзисторов на основе

a

-Si : H, изготовленных при столь низких температурах, соответствуют своим высокотемпературным аналогам.

PACS: 81.15.Gh, 85.30.Tv

PDF версия (576Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster