ФТП, 2006, том 40, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Управление электрическим полем эффектами пространственной повторяемости и мультипликации электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах

В.А.Петров, А.В.Никитин

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
101999 Москва, Россия

(Получена 16 ноября 2005 г. Принята к печати 13 января 2006 г.)

Теоретически исследована возможность управления с помощью постоянного поперечного электрического поля эффектами пространственного повторения и мультипликации для плотности потока вероятности jx(x,z) (или квантовомеханической плотности тока ejx(x,z), e --- заряд электрона), возникающими при интерференции электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах. Показано, что в структурах, представляющих собой последовательно расположенные в направлении распространения электронной волны (ось x) узкую и широкую вдоль оси z (ось размерного квантования) квантовые ямы прямоугольного профиля, поперечное распределение jx(0,z), существующее на входе широкой квантовой ямы, с определенной точностью периодически воспроизводится в сечениях Xp=pX1 (повторяемость) и расщепляется в симметричной по оси z наноструктуре на q идентичных пиков в q раз меньшей интенсивности на расстоянии X1/q от входа (мультипликация) (p и q --- целые числа). Показано, что управление этими эффектами возможно с помощью постоянного поперечного (вдоль оси z) электрического поля в области широкой квантовой ямы. Уменьшение в электрическом поле эффективной ширины квантовой ямы и возникновение в ней асимметрии в поперечном направлении приводят к кардинальному изменению в ней пространственного распределения jx(x,z) и возможности инверсной заселенности квантово-размерных подзон.

PACS: 73.21.Fg, 73.63.Hs

 PDF версия (361Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster