ФТП, 2006, том 40, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Экситонная фотолюминесценция структур с кремниевыми квантовыми ямами

А.В.Саченко, Д.В.Корбутяк, Ю.В.Крюченко\kern1pt, И.М.Купчак

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 19 декабря 2005 г. Принята к печати 10 января 2006 г.)

В приближении эффективной массы и квадратичного закона дисперсии рассчитаны энергии связи экситона и энергии излучательных экситонных переходов в одиночных квантовых ямах SiOx--Si--SiOx. Кроме реальных конечных величин разрывов зон в структурах с такими квантовыми ямами был учтен также эффект диэлектрического усиления энергии связи экситона из-за поляризации гетерограниц. Рассчитана также зависимость экситонного бесфононного времени излучательной рекомбинации от ширины квантовой ямы SiOx--Si--SiOx. Она имеет немонотонный (осциллирующий) характер, что обусловлено непрямозонностью кремниевого материала. Показано, что теоретически рассчитанные энергии излучательных экситонных переходов в квантовых ямах SiO2--Si--SiO2 согласуются с полученными из эксперимента при ширинах квантовых ям >=q 1.5 нм. Достигнуто достаточно хорошее согласие между экспериментальными и теоретически рассчитанными спектральными зависимостями фотолюминесценции квантовых ям SiO2--Si--SiO2.

PACS: 78.67.Hc, 73.21.Fg

 PDF версия (276Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster