ФТП, 2006, том 40, выпуск 8ФТП, 2006, том 40, выпуск 8| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Хлудков С.С. Влияние смещения электронно-дырочного равновесия на процесс диффузии переходных металлов в GaAs | 897 |
|---|---|
| Александров О.В. Влияние кислорода на сегрегационное перераспределение редкоземельных элементов в аморфизованных имплантацией слоях кремния | 903 |
| Белоусов И.В., Кузнецов Г.В., Пчеляков О.П. Направленная латеральная кристаллизация силицидной фазы кобальта на поверхности кремния | 909 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Соколовский И.О. Параметр излучательной рекомбинации и внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремнии | 913 |
| Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах -Si | 919 |
| Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е. Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия в сплавах PbSnTe | 922 |
| Кастро Р.А., Немов С.А., Серегин П.П. Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах PbSnS | 927 |
| Баранов П.Г., Бер Б.Я., Годисов О.Н., Ильин И.В., Ионов А.Н., Калитеевский А.К., Калитеевский М.А., Лазебник И.М., Сафронов А.Ю., Пол Х.-Дж., Риманн Х., Абросимов Н.В., Копьев П.С., Буланов А.Д., Гусев А.В. Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов кремния, обогащенных изотопом Si: исследования методом электронного парамагнитного резонанса | 930 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д. Характеристики гетеропереходов окисел---InSe в условиях рентгеновского облучения | 940 |
| Баранов И.Л., Табулина Л.В., Становая Л.С., Русальская Т.Г. Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SiO/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния | 944 |
| Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. Туннелирование и ударная ионизация в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn | 949 |
| Низкоразмерные системы | |
| Бондарь Н.В., Бродин М.С., Тельбиз Г.М. Вклад внутренних и поверхностных состояний носителей заряда в спектры излучения квантовых точек CdS в боросиликатном стекле | 962 |
| Саченко А.В., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Купчак И.М. Экситонная фотолюминесценция структур с кремниевыми квантовыми ямами | 969 |
| Петров В.А., Никитин А.В. Управление электрическим полем эффектами пространственной повторяемости и мультипликации электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах | 977 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Сазонов А., Мейтин М., Стряхилев Д., Nathan A. Низкотемпературные материалы и тонкопленочные транзисторы для электроники на гибких подложках | 986 |
| Ащеулов А.А., Гуцул И.В. Особенности анизотропных оптикотермоэлементов | 995 |
| Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В., Тараканова Н.Г. Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb | 1004 |
| Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Ладутенко К.С., Титков А.Н., Laiho R. Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода | 1009 |
| Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Борщев К.С., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров | 1017 |