| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Перенос носителей заряда в структуре SiC-детектора после экстремальных доз радиации
А.М.Иванов, А.А.Лебедев, Н.Б.Строкан
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 12 декабря 2005 г. Принята к печати 30 декабря 2005 г.)
|
Исследовалась эффективность переноса заряда в SiC-детекторах после облучения протонами с энергией 8 МэВ при дозе . По числу первично созданных дефектов режим облучения эквивалентен ожидаемым нарушениям решетки SiC-детекторов при использовании в экспериментах на модернизированном коллайдере ЦЕРНа (SLHC). Использовалась техника ядерной спектрометрии с тестированием детекторов -частицами с энергией 5.4 МэВ. С учетом произошедшей в ходе облучения глубокой компенсации проводимости SiC предлагается включать структуру в нетрадиционном пропускном направлении. В этом режиме ход напряженности электрического поля по координате детектора оказывается более однородным. Для обработки данных эксперимента предложена наглядная модель транспорта носителей. PACS: 07.77.Ka; 87.66.Pm |
| PDF версия (148Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |