ФТП, 2006, том 40, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности

И.Н.Арсентьев, А.В.Бобыль\kern1pt, О.Ю.Борковская\kern1pt*, Д.А.Винокуров, Н.Л.Дмитрук\kern1pt* ,
А.В.Каримов\kern1pt+, В.П.Кладько\kern1pt*, Р.В.Конакова\kern1pt*, С.Г.Конников, И.Б.Мамонтова\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
+ Физико-технический институт Научного объединения \glqq Физика-Солнце\grqq
Академии наук Республики Узбекистан,
700084 Ташкент, Узбекистан

(Получена 6 декабря 2005 г. Принята к печати 19 декабря 2005 г.)

Разработаны газофазная и жидкофазная технологии эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs(100) с развитой площадью поверхности. На подложках изготавливались слои пористого GaAs, а также создавались микрорельефы дендритного и решеточного типа. Для оценки качества слоев проведены сопоставительные исследования морфологии поверхности и рентгеноструктурные исследования. Далее были разработаны фотопреобразователи на основе этих слоев. Лучшие параметры показали приборы на основе слоев с микрорельефом подложки дендритного типа, которые имели среди исследованных образцов наибольшее развитие площади рабочей поверхности, а плотность дислокаций в слое составляла 104 см-2. В частности, внешняя квантовая эффективность фотопреобразователей на длине волны 0.65 мкм была выше на 150% по сравнению с контрольными образцами, изготовленными на гладкой поверхности.

PACS: 68.55.Ce, 68.55.Df, 81.60.Cp, 85.30.Kk, 85.60.Dw

 PDF версия (262Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster