ФТП, 2006, том 40, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

В.П.Кузнецов, Д.Ю.Ремизов *, В.Н.Шабанов, Р.А.Рубцова, М.В.Степихова *,
Д.И.Крыжков *, А.Н.Шушунов, О.В.Белова, З.Ф.Красильник *, Г.А.Максимов

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 30 ноября 2005 г. Принята к печати 19 декабря 2005 г.)

В диодных структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме ~10-7 мбар при температуре 520-580oC, исследована интенсивность электролюминесценции на длине волны 1.54 мкм при комнатной температуре в зависимости от концентрации и распределения эрбия и донорных примесей в области объемного заряда (ОПЗ), а также от толщины ОПЗ. Найдены пути получения электролюминесценции в диодах, имеющих широкую ОПЗ (0.1-1 мкм). Найдены длина пробега электронов при взаимодействии с центрами Er и значение пороговой энергии свободного электрона, необходимой для возбуждения электрона в оболочке Er. Экспериментально определены значения напряженности электрического поля при пробое кремниевых p-i-n-диодов, легированных и нелегированных Er. Предложена модель взаимодействия горячих электронов с центрами Er.
PACS: 73.20.Hb, 73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.Kk

 PDF версия (259Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster