ФТП, 2006, том 40, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta(Si)-GaAs

И.Н.Котельников\kern1pt*, С.Е.Дижур\kern1pt*, М.Н.Фейгинов\kern1pt*+, Н.А.Мордовец\kern1pt*

* Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
125009 Москва, Россия
+ Technische Universitat Darmstadt,
D-64283 Darmstadt, Deutschland

(Получена 5 декабря 2005 г. Принята к печати 19 декабря 2005 г.)

Методом туннельной спектроскопии при гелиевых температурах исследован эффект замороженой (persistent) туннельной фотопроводимости: сгущение пустых уровней в приповерхностном delta-легированном слое GaAs после внешней подсветки. Показано, что этот эффект обусловлен уширением потенциальной ямы delta-слоя. При энергиях фотонов hnu больше ширины запрещенной зоны Eg в GaAs это происходит за счет накопления положительного заряда в глубине GaAs при генерации электронно-дырочных пар и за счет фотоионизации глубоких центров. При hnug (в том числе для излучения CO2-лазера) эффект связан только с процессами фотоионизации. Полученные данные согласуются с результатами самосогласованных расчетов. Определена температура Tc=45 K, выше которой эффект исчезает.

PACS: 72.40.+w, 73.21.Fg, 73.23.Ra, 73.30.+y, 73.40.Gk, 73.63.--b.

 PDF версия (269Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster