ФТП, 2006, том 40, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические исследования двумерного фотонного кристалла с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области

С.А.Блохин\kern1pt+, О.А.Усов\kern1pt+, А.В.Нащекин\kern1pt+, Е.М.Аракчеева\kern1pt+, Е.М.Танклевская\kern1pt+,
С.Г.Конников\kern1pt+, А.Е.Жуков\kern1pt+, М.В.Максимов\kern1pt+, Н.Н.Леденцов\kern1pt+,*, В.М.Устинов\kern1pt+

+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat,
D-10623 Berlin, Germany

(Получена 24 ноября 2005 г. Принята к печати 8 декабря 2005 г.)

Двумерный полупроводниковый фотонный кристалл с гексагональной решеткой субмикрометровых отверстий изготовлен путем травления планарной структуры GaAs/AlGaAs, содержащей квантовые точки InAs/InGaAs в волноводном слое. Путем анализа спектров отражения при различных углах падения и поляризации света определена структура фотонных зон. Фано-резонансы, обнаруженные в спектрах отражения при ТМ (ТЕ) поляризации вдоль направления симметрии Gamma-K (Gamma-M), связаны с резонансным взаимодействием оптически активных фотонных зон с падающим светом. Зонная структура радиационных мод утечки исследована путем измерения угловой зависимости интенсивности фотолюминесценции. Обнаруженное трехкратное увеличение интенсивности фотолюминесценции на резонансной частоте фотонного кристалла объяснено эффектом Пурселя.

PACS: 42.70.Qs, 78.67.Hc, 78.66.Sq, 78.20.Ci

 PDF версия (311Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster