ФТП, 2006, том 40, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование влияния ультразвукового воздействия на генерационные характеристики предварительно облученной границы раздела кремний--диоксид кремния

П.Б.Парчинский\kern1pt, С.И.Власов, Л.Г.Лигай

Национальный университет Узбекистана,
700174 Ташкент, Узбекистан

(Получена 9 июня 2004 г. Принята к печати 28 декабря 2005 г.)

При помощи метода релаксации неравновесной емкости структуры металл--окисел--полупроводник изучено влияние ультразвукового воздействия на генерационные параметры границы раздела Si-SiO2, облученной gamma-квантами. Обнаружено уменьшение генерационного времени жизни под влиянием ультразвуковой обработки. Показано, что в облученных и необлученных структурах изменение генерационных параметров под влиянием ультразвука носит существенно различный характер.

PACS: 73.40.Qv, 73.20.Hb, 61.80.Ed, 73.50.Gr

 PDF версия (120Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster