ФТП, 2006, том 40, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами

Н.А.Поклонский , С.В.Шпаковский +, Н.И.Горбачук, С.Б.Ластовский *

Белорусский государственный университет,
220050 Минск, Белоруссия
+ УП \glqq Завод Транзистор\grqq НПО \glqq Интеграл\grqq,
220064 Минск, Белоруссия
* Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия

(Получена 21 ноября 2005 г. Принята к печати 21 декабря 2005 г.)

Исследовались кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·1016 см-2). Индуктивность диодов (L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока 0.25 мА. Одновременно с измерением L на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p+-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур Ta=225-375oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени ~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия--кислород, вводимые облучением.

PACS: 85.30.Kk, 73.40.Lq, 71.55.Cn, 61.80.Fe

 PDF версия (204Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster