| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света, возникающая при сверхкоротких оптической накачке и суперлюминесценции в GaAs
Н.Н.Агеева, И.Л.Броневой , А.Н.Кривоносов, С.В.Стеганцов
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
125009 Москва, Россия
(Получена 5 декабря 2005 г. Принята к печати 19 декабря 2005 г.)
|
Во время пикосекундной фотогенерации носителей и интенсивной суперлюминесценции в GaAs обнаружена автомодуляция спектра поглощения света. При изменении пикосекундной задержки зондирующего импульса относительно импульса накачки в области локальные усиления поглощения (выступы) перемещались по спектру (модуляция напоминала бегущую волну). При изменении вблизи нуля выступы на спектре возникали и исчезали приблизительно при фиксированных энергиях фотонов (модуляция сходна со стоячей волной). При некоторых энергиях фотона зависимость скорости изменения коэффициента поглощения от оказалась модулированной пульсациями, сходно с ранее выявленной модуляцией пикосекундного стимулированного излучения из GaAs. Предположительно, автомодуляция спектра отображает (тем самым обнаруживает) модуляцию распределения электронов в зоне проводимости. Эта модуляция вызвана тем, что эволюция обеднения заселенности электронов на дне зоны проводимости во время суперлюминесценции отображается (благодаря электрон-фононному взаимодействию) на заселенности вышележащих энергетических уровней зоны. PACS: 71.35Ee, 78.30.Fs, 78.47.+p, 78.55.Gr |
| PDF версия (305Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |