ФТП, 2006, том 40, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Роль примесной зоны при переходе диэлектрик--металл при изменении состава сильно легированного и компенсированного полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb.
Донорные примеси

В.А.Ромака*,$, М.Г.Шеляпина\wedge, Ю.В.Стаднык,, D.Fruchart \lozenge, Л.П.Ромака, В.Ф.Чекурин *

* Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины,
79053 Львов, Украина
$ Национальный университет << Львовская политехника>>,
79013 Львов, Украина
\wedge Институт физики им. И.В. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Россия
Львовский национальный университет им. И. Франко,
79005 Львов, Украина
\lozenge Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, ВР 166,
38042 Гренобль, Франция

(Получена 23 июня 2005 г. Принята к печати 1 декабря 2005 г.)

Определена роль примесной донорной зоны в проводимости сильно легированного и компенсированного интерметаллического полупроводника TiCoSb. Произведен расчет электронной структуры полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb. Предложена модель перестройки примесной зоны полупроводника TiCoSb при легировании донорными примесями. Выявлен переход проводимости от активационной к металлической при изменении состава твердого раствора TiCo1-xNixSb, который мы связываем с переходом Андерсона.

PACS: 71.20.Nr, 71.30.+h, 72.20.Pa, 75.20.Ck, 81.05.Hd

 PDF версия (389Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster