ФТП, 2006, том 40, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом
методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре

А.В.Бойцов , Н.А.Берт, Ю.Г.Мусихин, В.В.Чалдышев, М.А.Яговкина, В.В.Преображенский *,
М.А.Путято *, Б.Р.Семягин *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 17 ноября 2005 г. Принята к печати 5 декабря 2005 г.)

Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии проведены исследования слоев GaAs, без легирования и однородно легированных фосфором (2.3 мол%), выращенных при температуре 250oC и изохронно отожженных при 400, 500, 600 и 700oC. Установлено, что легирование фосфором уменьшает количество избыточного мышьяка, захватываемого в слой в процессе роста, а также приводит к \glqq замедлению\grqq преципитации при последующем отжиге. В нелегированных образцах концентрация избыточного мышьяка составила ~0.2 ат%, кластеры были обнаружены после отжига при температуре 500oC. В образцах, содержащих фосфор, концентрация избыточного мышьяка составила 0.1 ат%, а кластеры обнаружены только после термообработки при 600oC. Средний размер кластеров в легированных образцах меньше по сравнению с нелегированными при равных температурах отжига.

PACS: 61.46.Bc, 81.07.Bc

 PDF версия (266Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster