ФТП, 2006, том 40, выпуск 7ФТП, 2006, том 40, выпуск 7| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д. Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и термообработок | 769 |
|---|---|
| Бойцов А.В., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Яговкина М.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре | 778 |
| Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Пшенай-Северин Д.А., Федоров М.И., Равич Ю.И. Теплопроводность легированных твердых растворов на основе PbTe с нецентральными примесями | 783 |
| Назыров Д.Э., Базарбаев М.И., Иминов А.А. Диффузия иттрия в кремнии | 788 |
| Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. Механизм нуклеации ориентированных пленок теллурида кадмия, формирующихся в резко неравновесных условиях | 790 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Махний В.П., Гривул В.И. Диффузионные слои ZnTe : Sn с электронной проводимостью | 794 |
| Ромака В.А., Шеляпина М.Г., Стаднык Ю.В., Fruchart D., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф. Роль примесной зоны при переходе диэлектрик--металл при изменении состава сильно легированного и компенсированного полупроводникового твердого раствора TiCoNiSb. Донорные примеси | 796 |
| Никонюк Е.С., Захарук З.И., Рыбак Е.В., Дремлюженко С.Г., Шляховый В.Л., Ковалец М.А. Изменения электрофизических свойств кристаллов CdZnTe после термообработки | 802 |
| Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Стеганцов С.В. Сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света, возникающая при сверхкоротких оптической накачке и суперлюминесценции в GaAs | 806 |
| Ваксман Ю.Ф., Павлов В.В., Ницук Ю.А., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. Получение и оптические свойства монокристаллов ZnSe, легированных кобальтом | 815 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Аронзон Б.А., Драченко А.Н., Рыльков В.В., Леотин Ж. Влияние сильных магнитных полей на фотоотклик Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне | 819 |
| Поклонский Н.А., Шпаковский С.В., Горбачук Н.И., Ластовский С.Б. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых -переходов, облученных быстрыми электронами | 824 |
| Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г. Исследование влияния ультразвукового воздействия на генерационные характеристики предварительно облученной границы раздела кремний--диоксид кремния | 829 |
| Низкоразмерные системы | |
| Блохин С.А., Усов О.А., Нащекин А.В., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Конников С.Г., Жуков А.Е., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Оптические исследования двумерного фотонного кристалла с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области | 833 |
| Котельников И.Н., Дижур С.Е., Фейгинов М.Н., Мордовец Н.А. Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/(Si)GaAs | 839 |
| Расулова Г.К., Брунков Н.П., Жуков А.Е., Устинов В.М. Высшие гармоники колебаний тока в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs | 846 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллаческие полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Ястребов С.Г., Гордеев С.К., Гаррига М., Алонсо И.А., Иванов-Омский В.И. Спектральная эллипсометрия наноалмазного композита | 850 |
| Круткова Е.Ю., Тимошенко В.Ю., Головань Л.А., Кашкаров П.К., Астрова Е.В., Перова Т.С., Горшунов Б.П., Волков А.А. Инфракрасная и субмиллиметровая спектроскопия щелевых кремниевых структур | 855 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Рожанский И.В., Закгейм Д.А. Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaInN при большой плотности тока накачки | 861 |
| Кузнецов В.П., Ремизов Д.Ю., Шабанов В.Н., Рубцова Р.А., Степихова М.В., Крыжков Д.И., Шушунов А.Н., Белова О.В., Красильник З.Ф., Максимов Г.А. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии | 868 |
| Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Борковская О.Ю., Винокуров Д.А., Дмитрук Н.Л., Каримов А.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Конников С.Г., Мамонтова И.Б. Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности | 876 |
| Емельянов А.М., Забродский В.В., Забродская Н.В., Соболев Н.А., Суханов В.Л. Электролюминесценция в области межзонных переходов эффективного кремниевого светодиода с малой площадью выпрямляющего контакта | 882 |
| Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. Перенос носителей заряда в структуре SiC-детектора после экстремальных доз радиации | 886 |
| Персоналии | |
| Андрей Георгиевич Забродский ( к 60-летию со дня рождения ) | 890 |