ФТП, 2006, том 40, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления

Н.В.Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев,
М.А.Ременный, Н.М.Стусь

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 октября 2005 г. Принята к печати 17 октября 2005 г.)

Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны 4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40--50 мкм и диаметр 240 мкм. Обсуждаются фактор увеличения выхода излучения, связанный с особенностями геометрии структуры, и выбор оптимального режима работы светодиода в зависимости от рабочей температуры.

PACS: 85.60.Jb

 PDF версия (647Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster