ФТП, 2006, том 40, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние внутризонной электронной релаксации на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах

И.А.Костко, Н.А.Гунько, Н.Л.Баженов, К.Д.Мынбаев, Г.Г.Зегря\kern1pt

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 июля 2005 г. Принята к печати 5 сентября 2005 г.)

Исследовано влияние внутризонной релаксации носителей заряда на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах на основе InGaAsP. Исследована зависимость времени внутризонной дырочно-дырочной релаксакции tauint от температуры и концентрации носителей. Показано, что учет конечного значения tauint и его зависимости от температуры и концентрации носителей оказывает сильное влияние на величину коэффициента усиления и пороговой плотности тока в лазерах на квантовых ямах.

PACS: 42.55.Ah, 42.55.Px, 78.67.De

 PDF версия (183Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster